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首頁 產(chǎn)品中心材料科學(xué)無機金屬

Germanium(II) telluride | GeTe

碲化鍺

產(chǎn)品編號: SD-G860761 CAS 號: 12025-39-7 純度: 99.999+% metals basis; 采用熔融復(fù)合法制備,具有半金屬導(dǎo)電性和鐵電特性。應(yīng)用方向:鍍膜材料和濺射靶材;熱電制冷材料,用作紅外光發(fā)射和檢測材料,非易失性光學(xué)數(shù)據(jù)存儲,如CD、DVD和藍(lán)光,并可能取代動態(tài)和閃存隨機存取存儲器。摻雜碲化鍺是一種低溫超導(dǎo)體。

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G860761-1g 320 存貨
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技術(shù)參數(shù) 相關(guān)產(chǎn)品
別名: 碲化鍺晶體是元素周期表WTH族元素化合物半導(dǎo)體。離子晶體。三角系統(tǒng)面中心結(jié)構(gòu),它是一種直接帶隙半導(dǎo)體,室溫禁止帶寬為0.23eV。它是一種窄帶隙半導(dǎo)體,空穴遷移率為7x10-3mZilv“S)}度,非晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)之間的高電阻率對比度以及反復(fù)反轉(zhuǎn)躍遷的能力使其成為射頻開關(guān)的良好候選者。射頻需要在基板表面沉積一層薄薄的GeTe薄膜。
MDL No.: MFCD00135541
分子式: GeTe
分子量: 200.19
熔點: 725°C
貯存: 潮濕的團(tuán)聚會影響GeTe粉末的分散性能和使用效果,因此,碲化鍺GeTe粉應(yīng)密封在真空包裝中,并儲存在陰涼干燥的室內(nèi),碲化鍺不能暴露在空氣中。此外,應(yīng)避免在壓力下使用GeTe粉末。

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