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首頁產(chǎn)品中心材料科學(xué)無機(jī)金屬

Gallium oxide Nanoparticle | Ga2O3

氧化鎵 | 納米氧化鎵 | 三氧化二鎵 | | Purity: 99.99% metals basis; APS(D50): 40nm、 50nm、100nm

產(chǎn)品編號: SD-G823717 CAS 號: 12024-21-4 純度: 99.99% metals basis;白色粉末，棒狀晶體，晶形以β相為主，寬禁帶半導(dǎo)體，Eg=4.9eV。應(yīng)用方向: Ga基半導(dǎo)體絕緣層材料，紫外線濾光片，燃料電池的固體氧化物陰極、壓電晶體、GGG晶體（釓鎵石榴石），IGZO材料的濺射靶材。

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G823717-原料	￥ 0	詢問	￥ 0.00
G823717-50nm-100g	￥ 2200	詢問	￥ 0.00
G823717-100nm-100g	￥ 2160	存貨	￥ 0.00
G823717-50nm-500g	￥ 7800	存貨	￥ 0.00
G823717-100nm-500g	￥ 7600	存貨	￥ 0.00

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別名:	三氧化二鎵Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。
MDL No.:	MFCD00011020
分子式:	Ga₂O₃
分子量:	187.44
熔點:	1740 °C
貯存:	室溫,惰氣塑料袋包裝，密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜暴露空氣中，防受潮發(fā)生氧化團(tuán)聚，影響分散性能和使用效果