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首頁(yè) 產(chǎn)品中心材料科學(xué)無機(jī)金屬

Gallium oxide | Ga2O3

氧化鎵 | 微米氧化鎵 | 三氧化二鎵 | Purity: 99.99% metals basis; APS(D50): 1um、 3um、5um

產(chǎn)品編號(hào): SD-G810511 CAS 號(hào): 12024-21-4 純度: 99.99% metals basis; 白色粉末,棒狀晶體,晶形以β相為主,寬禁帶半導(dǎo)體,Eg=4.9eV。應(yīng)用方向: Ga基半導(dǎo)體絕緣層材料,紫外線濾光片,燃料電池的固體氧化物陰極、壓電晶體、GGG晶體(釓鎵石榴石),IGZO材料的濺射靶材。

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G810511-原料 0 詢問
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G810511-1um-100g 1580 存貨
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G810511-3um-100g 1550 存貨
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G810511-3um-500g 4380 存貨
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別名: 三氧化二鎵Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物,同時(shí)也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種,其中,β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。其禁帶寬度大于硅,氮化鎵和碳化硅,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)愈加明顯。但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN,后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。氧化Chemicalbook鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器,如電動(dòng)汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。
MDL No.: MFCD00011020
分子式: Ga2O3
分子量: 187.44
熔點(diǎn): 1740 °C
貯存: 室溫, 室溫,惰氣塑料袋包裝,密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜暴露空氣中,防受潮發(fā)生氧化團(tuán)聚,影響分散性能和使用效果

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    SD-G810511
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