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首頁(yè) 產(chǎn)品中心精細(xì)化學(xué)通用試劑

Indium antimonide | InSb

銻化銦 | 高純銻化銦 | Purity: > 99.999%

產(chǎn)品編號(hào): SD-I838606 CAS 號(hào): 1312-41-0 純度: 99.999%；銻化銦晶體呈銀色、質(zhì)脆，為閃鋅礦結(jié)構(gòu).晶格常數(shù)為6.48?，是一種直接帶隙材料，其禁帶寬度較窄，為0.18eV，而電子遷移率高達(dá)7800cm2/V·s。應(yīng)用方向：1. 紅外探測(cè)器、紅外光電二極管和紅外LED。 2. 熱電材料,可將熱能轉(zhuǎn)化為電能。用于各種電子設(shè)備的廢熱、制冷和溫度控制發(fā)電。 3. 光電器件,如紅外激光器和光電探測(cè)器。4. 高速晶體管,特別是那些需要高頻操作的電子設(shè)備。5. 用于與半導(dǎo)體物理、光電子學(xué)和材料科學(xué)相關(guān)的各種實(shí)驗(yàn)和研究。6.熱成像系統(tǒng)、夜視設(shè)備、制導(dǎo)系統(tǒng)、用于診斷目的的紅外成像系統(tǒng)。

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貨號(hào)	價(jià)格 (￥)	庫(kù)存	總額
I838606-1g粉末	￥ 420	存貨	￥ 0.00
I838606-5g粉末	￥ 1280	存貨	￥ 0.00
I838606-5g塊體	￥ 1200	存貨	￥ 0.00
I838606-25g粉末	￥ 4700	存貨	￥ 0.00
I838606-25g塊體	￥ 4500	存貨	￥ 0.00

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別名:	銻化銻InSb是以6N 7N高純銦和銻元素為原料，采用VGF法或液包直直LEC法制備的具有閃鋅礦晶格結(jié)構(gòu)的III-V族晶態(tài)化合物的半導(dǎo)體，由多區(qū)精制多晶錠制備成晶片和塊狀結(jié)構(gòu)。InSb是一種直接過(guò)渡半導(dǎo)體，在室溫下具有0.17eV的窄禁帶，對(duì)1–5μm波長(zhǎng)具有高靈敏度和超高霍爾遷移率。銻化銦是生產(chǎn)許多先進(jìn)組件和設(shè)備的理想基板之一，例如先進(jìn)的熱成像解決方案、FLIR系統(tǒng)、霍爾元件和磁阻效應(yīng)元件、紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)、高響應(yīng)紅外光電探測(cè)器傳感器、高精度磁性和旋轉(zhuǎn)電阻率傳感器、焦平面陣列，也適用于太赫茲輻射源和紅外天文空間望遠(yuǎn)鏡等。
MDL No.:	MFCD00016146
分子式:	InSb
分子量:	236.58
貯存:	室溫