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首頁(yè) 產(chǎn)品中心分析試劑常用分析試劑

氮化鎵 | 高純氮化鎵 | GaN

Gallium Nitride Powder

產(chǎn)品編號(hào): SD-G810665 CAS 號(hào): 25617-97-4 純度: >99.9999%; TRACE METAL ANALYSIS: <900ppm; 黃色粉末;氮化鎵具有較寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高導(dǎo)熱性、良好的化學(xué)穩(wěn)定性（幾乎無(wú)酸腐蝕）等性能和較強(qiáng)的抗輻射能力，在光電子、高溫、高功率器件和高頻微波器件應(yīng)用中具有廣闊的前景。是當(dāng)前全球半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用的前沿和熱點(diǎn)，特別是基于GaN技術(shù)的主動(dòng)電子掃描陣列、汽車(chē)無(wú)人駕駛系統(tǒng)、60GHz頻段的Wi-Fi技術(shù)、無(wú)線通信基站、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)。

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貨號(hào)	價(jià)格 (￥)	庫(kù)存	總額
G810665-1g	￥ 620	存貨	￥ 0.00
G810665-5g	￥ 1800	存貨	￥ 0.00
G810665-10g	￥ 3200	存貨	￥ 0.00
G810665-25g	￥ 5900	存貨	￥ 0.00

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別名:	氮化鎵. 隨著5G時(shí)代的到來(lái),第三代通信基站已經(jīng)開(kāi)始采用氮化鎵GaN器件來(lái)替代硅Si的LDMOS器件。硅Si的LDMOS器件物理特性上已經(jīng)到達(dá)了極限，這是氮化鎵GaN器件進(jìn)入民品市場(chǎng)的原因。隨著爆炸式增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)流量，通信基站越來(lái)越需要更高峰值功率、更寬帶寬以及更高頻率的器件，這就使得氮化鎵GaN器件應(yīng)用于通信基站成為必然。
MDL No.:	MFCD00016108
分子式:	GaN
分子量:	83.73
熔點(diǎn):	800 °C(lit.)
貯存:	密封，避光，室溫下保持干燥。